据中国电子科技集团有限公司(中国电科)官方消息，近日，该公司46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。
氧化镓是新型超宽禁带半导体材料，常被称为第三代半导体材料，拥有优异的物理化学特性，在微电子与光电子领域均拥有广阔的应用前景。
不过，氮化镓具有高熔点、高温分解、易开裂等特性，因此，大尺寸氧化镓单晶的制备极为困难。
中国电科46所氧化镓团队聚焦多晶面、大尺寸、高掺杂、低缺陷等方向，从大尺寸氧化镓热场设计出发，成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构。
这一成果突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，具有良好的结晶性能，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制，将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展。
近年来，中国电科在氧化镓、氮化铝、金刚石等超宽禁带半导体材料领域取得了重大突破和标志性成果，有力支撑了我国超宽禁带半导体材料的发展。
【本文结束】出处：快科技
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